Новосибирские физики разработали самую быструю в мире флешку

Флеш-память с использованием мультиграфена может превзойти по основным параметрам аналоги, созданные на основе других материалов, заявили новосибирские ученые. Быстродействие устройства увеличится в три раза. Применение нескольких слоев графена (мультиграфена) во  флеш-памяти  изучает Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН.

«Необходимыми компонентами такой  флеш-памяти  являются туннельный и  блокирующий слои. Первый изготавливается из  оксида кремния, второй, как правило, из  диэлектрика с  высоким значением диэлектрической проницаемости»,  —  рассказывает «Наука в  Сибири»

«Так как для  флеш-памяти  на  основе мультиграфена требуется тонкий туннельный слой, то  быстродействие повышается в  два-три  раза,  — пояснил кандидат  физико-математических  наук Юрий Новиков. —  Ко  всему прочему мы  можем использовать более низкие напряжения перепрограммирования, а  большая работа выхода позволяет долго хранить инжектированный заряд (информацию, вводящуюся на  носитель)».

Ученые разработали опытные образцы, но  говориться о  масштабном производстве графеновойфлеш-памяти  пока рано, отмечают они. «Для коммерческого применения, скажем в  России, требуется завод с  современными технологиями. Стоить он  будет около $5  млрд»,  — заявил Новиков. tayga.info фото pixabay.comay.m pixa bay.com  pixabay.compixabay.com  pixabay.com

Ещё новости о событии:

Ученые Института физики полупроводников (ИФП) СО РАН рассматривают возможность применения в устройствах для хранения памяти мультиграфена (нескольких слоев высокотехнологичного материала - графена).
09:34 30.08.2016 Сибирский репортер - Новосибирск
Новосибирские физики разработали самую быструю в мире флешку - Газета Бердские новости
Флеш-память с использованием мультиграфена может превзойти по основным параметрам аналоги, созданные на основе других материалов, заявили новосибирские ученые.
16:05 29.08.2016 Газета Бердские новости - Бердск
В Новосибирске ученые из Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН заявили о создании самой быстрой флешки в мире.
16:04 29.08.2016 Sibnovosti.ru - Новосибирск
Флеш-память действует по принципу впрыскивания электрического разряда в мультиграфен, который является запоминающей средой.
16:03 29.08.2016 Tvsib.Ru - Новосибирск
Ученые Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова придумали флеш-память на основе графена, сообщает издание СО РАН «Наука в Сибири».
15:35 29.08.2016 ГТРК Новосибирск - Новосибирск
Флеш-память с повышенной производительностью создали новосибирские физики.
13:14 29.08.2016 Сибкрай.ru - Новосибирск
 
По теме
Прогноз возможных чрезвычайных ситуаций на территории НСО на 29 марта - Город Искитим При составлении прогноза использована информация ФГБУ «Западно-Сибирское УГМС», Верхне-Обского бассейнового водного управления Федерального агентства водных ресурсов, Алтае-Саянский филиал ГС СО РАН,
Город Искитим
С Сергеем Михалковым – весело! - ЦБС Баганского района Во второй день Недели детской книги в библиотеке состоялась встреча с воспитанниками детского сада «Колокольчик».
ЦБС Баганского района