«Необходимыми компонентами такой флеш-памяти являются туннельный и блокирующий слои. Первый изготавливается из оксида кремния, второй, как правило, из диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости», — рассказывает «Наука в Сибири» .
«Так как для флеш-памяти на основе мультиграфена требуется тонкий туннельный слой, то быстродействие повышается в два-три раза, — пояснил кандидат физико-математических наук Юрий Новиков. — Ко всему прочему мы можем использовать более низкие напряжения перепрограммирования, а большая работа выхода позволяет долго хранить инжектированный заряд (информацию, вводящуюся на носитель)».
Ученые разработали опытные образцы, но говориться о масштабном производстве графеновойфлеш-памяти пока рано, отмечают они. «Для коммерческого применения, скажем в России, требуется завод с современными технологиями. Стоить он будет около $5 млрд», — заявил Новиков. tayga.info фото pixabay.comay.m pixa bay.com pixabay.compixabay.com pixabay.com
Источник: Газета Бердские новости
29.08.2016 16:05